En 1947 se produjo el primer transistor exitoso de germanio, con un sistema encapsulado de punta de contacto similar pero más estable y pequeño que el del detector de galena. En 1948 se obtuvo el primer [http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unión_bipolar transistor de unión o juntura bipolar]. En 1949 Shockley escribió el libro ''Electrons and holes in semiconductors'', que durante muchos años sería la referencia obligada para la comprensión del comportamiento de los electrones, y sus déficits o vacantes (''holes''), en los semiconductores cuando están sometidos a campos eléctricos∫eléctricos.