[[Archivo:Transistor CMOS.gif|300px|right|thumb|<small><center>'''Transistor de unión bipolar CMOS de silicio.'''</center></small>]]
En 1947 se produjo el primer transistor exitoso de germanio, con un sistema encapsulado de punta de contacto similar pero más estable y pequeño que el del detector de galena. En 1948 se obtuvo el primer [http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unión_bipolar transistor de unión o juntura bipolar]. En 1949 Shockley escribió el libro ''Electrons and holes in semiconductors'', que durante muchos años sería la referencia obligada para la comprensión del comportamiento en presencia de campos eléctricos de los electrones, en semiconductores y de sus déficits o vacantes (''holes''), en los semiconductores cuando están sometidos a campos eléctricos.
Hoy los transistores —aunque hechos de silicio con un método constructivo diferente del original, el [http://es.wikipedia.org/wiki/BiCMOS CMOS]— han hecho posible todos los dispositivos electrónicos compactos y de bajo consumo eléctrico (a pilas), desde los reproductores de música hasta las computadoras pasando por los teléfonos móviles e inteligentes, constituyéndose en los protagonistas principales de la revolución electrónica actualmente en auge.
==Fuentes generales==
* Nelson, Richard; [http://www.nber.org/chapters/c2141 ''The link between science and invention: the case of the transistor''] (El vínculo entre la ciencia y la invención: el caso del transistor). En ''The rate and direction of inventive activity: economic and social factors'' (El ritmo y rumbo de la inventiva: factores económicos y sociales); National Bureau of Economic Research; EEUU; ISBN 08701430402; pp. 549‑584.