En 1947 se produjo el primer transistor exitoso de germanio, con un sistema encapsulado de punta de contacto similar pero más estable y pequeño que el del detector de galena. En 1948 se obtuvo el primer [http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unión_bipolar transistor de unión o juntura bipolar]. En 1949 Shockley escribió el libro ''Electrons and holes in semiconductors'', que durante muchos años sería la referencia obligada para la comprensión del comportamiento en presencia de campos eléctricos de los electrones, en semiconductores y de sus déficits o vacantes (''holes''), en los semiconductores cuando están sometidos a campos eléctricos.