La primera patente de un transistor, el de efecto campo o [http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo FET], fue registrada en Canadá por el físico austro-húngaro [http://es.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld Julius Edgar Lilienfeld] en 1925. El dispositivo, sobre el que Lilienfeld no publicó ningún informe científico, no parece haber sido fabricado comercialmente pero fue estudiado por los inventores del transistor de unión bipolar.
The work emerged from their war-time efforts to produce extremely pure germanium "crystal" mixer diodesLa invención del transistor fue la culminación de un programa de desarrollo iniciado en 1946 en el centro de investigación científica y desarrollo tecnológico de las entonces gigantes empresas de las comunicaciones American Telephone and Telegraph (ATT) (continuadora de la Bell Telephone) y Western Electric (WE): Bell Telephone Laboratories, used in radar units as a frequency mixer element in microwave radar receivers. A parallel project on germanium diodes at Purdue University succeeded in producing the good-quality germanium semiconducting crystals that were used at en EEUU usualmente denominado Bell Labs. Early tube-based technology did not switch fast enough for this roleSegún Nelson, leading the Bell team to use solid state diodes insteadel centro ocupaba entonces a unas 11. With this knowledge in hand they turned to the design of a triode000 personas cuyos roles estaban divididos, en número aproximadamente iguales, en 3 sectores principales: ciencia y tecnología, apoyo técnico, but found this was not at all easylogística. John Bardeen eventually developed a new branch of quantum mechanics known as surface physics to account for the "odd" behavior they saw, and Bardeen and Walter Brattain eventually succeeded in building a working deviceLa mayoría de los profesionales (~85%) trabajaba en desarrollo de dispositivos de telefonía para uso comercial y militar y el resto (~15%) en tareas de investigación.
After the warDurante la [http://es.wikipedia.org/wiki/Segunda_Guerra_Mundial Segunda Guerra Mundial] tanto EEUU como Gran Bretaña —estimulados por similares políticas nazis— hicieron enormes inversiones en desarrollos científico-tecnológicos para uso militar, el más grande los cuales fue el [http://es.wikipedia.org/wiki/Proyecto_Manhattan Proyecto Manhattan] que reunió a los más destacados físicos e ingenieros de la época y culminó con la fabricación de la primera bomba atómica y su lanzamiento sobre Hiroshima y Nagasaki. Menos conocido, pero no menos importante desde el punto de visto militar, fue el desarrollo del [http://es.wikipedia.org/wiki/Radar radar] hecho por los británicos. Al final de la guerra, en 1945, estas tareas continuaron en preparación para la que se consideraba entonces una inevitable confrontación militar con la Unión Soviética, contexto que encuadra el proceso de invención del transistor. En esa época todos los dispositivos electrónicos estaban basados en un tipo de componente esencial, las válvulas termoiónicas, entre las que se destacaban las diferentes variantes del [http://es.wikipedia.org/wiki/Triodo tríodo] que eran responsables de los esenciales procesos de amplificación y modulación de las corrientes y ondas electromagnéticas. Los tríodos de la época —hoy, aunque mejorados, son usados sólo en aplicaciones muy especializadas— eran voluminosos, generaban mucho calor (es decir, eran [[eficiencia|ineficientes]]) y no funcionaban bien en las altas frecuencias crecientemente necesarias para equipos como los de radar. Ya antes de la guerra investigadores de Bell Labs habían trabajado activamente en las propiedades electrónicas de semiconductores, entre los que se contaban los físicos William Shockley y Walter Brattain. Sus laboratorios eran capaces de producir cristales de estos materiales y determinar sus propiedades eléctricas básicas. La mayoría de estos experimentos de preguerra se hacían con cristales de germanio, lo que explica la razón de que el primer transistor exitoso estuviese hecho de este material. Cuando Shockley, que estaba de licencia, se reintegró a su trabajo después de la guerra, convenció al director de Bell Labs de la importancia de crear un departamento especial dedicado al desarrollo de dispositivos semiconductores, incorporando más personal de investigación básica y aplicada y aumentando el soporte técnico. En 1946 el proyecto fue aprobado y Shockley decided to attempt the building of autorizado a triode-like semiconductor devicecontratar el personal adicional. He secured funding and lab spaceSu mayor éxito en esta tarea fue el reclutamiento del físico teórico John Bardeen, and went to work on the problem with pero varios otros cientificos e ingenieros destacados se unieron al grupo. Bardeen and Brattain, el único físico que hasta 2011 había obtenidos 2 premios Nobel, trabajaba entonces en el [http://en.wikipedia. Brattain started working on building such a deviceorg/wiki/Naval_Ordnance_Laboratory Naval Ordnance Laboratory], centro de investigaciones de la marina estadounidense hoy desaparecido, and tantalizing hints of amplification continued to appear as the team worked on the problemy fue uno de los principales fundadores de la [http://es.wikipedia.org/wiki/F%C3%ADsica_del_estado_sólido Física del Estado Sólido]. La principal meta que fijó Shockley fue el desarrollo de un dispositivo amplificador equivalente al tríodo pero exclusivamente basado en semiconductores.