[[Archivo:Transistor CMOS.gif|300px|right|thumb|<small><center>'''Transistor de unión bipolar CMOS de silicio.'''</center></small>]]
En 1947 se produjo el primer transistor exitoso de germanio, con un sistema encapsulado de punta de contacto similar pero más estable y pequeño que el del detector de galena. En 1948 se obtuvo el primer [http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unión_bipolar transistor de unión o juntura bipolar]. En 1949 Shockley escribió el libro ''Electrons and holes in semiconductors'', que durante muchos años sería la referencia obligada para la comprensión del comportamiento de los electrones, y sus déficits o vacantes (''holes''), en los semiconductores cuando están sometidos a campos eléctricos∫eléctricos.
Hoy los transistores —aunque hechos de silicio con un método constructivo diferente del original, el [http://es.wikipedia.org/wiki/BiCMOS CMOS]— han hecho posible todos los dispositivos electrónicos compactos y de bajo consumo eléctrico (a pilas), desde los reproductores de música hasta las computadoras pasando por los teléfonos móviles e inteligentes, constituyéndose en los protagonistas principales de la revolución electrónica actualmente en auge.
==Fuentes generales==
* Nelson, Richard; [http://www.nber.org/chapters/c2141 ''The link between science and invention: the case of the transistor''] (El vínculo entre la ciencia y la invención: el caso del transistor). En ''The rate and direction of inventive activity: economic and social factors'' (El ritmo y rumbo de la inventiva: factores económicos y sociales); National Bureau of Economic Research; EEUU; ISBN 08701430402; pp. 549‑584.