La primera patente de un transistor, el de efecto campo o [http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo FET], fue registrada en Canadá por el físico austro-húngaro [http://es.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld Julius Edgar Lilienfeld] en 1925. El dispositivo, sobre el que Lilienfeld no publicó ningún informe científico, no parece haber sido fabricado comercialmente pero fue estudiado por los inventores del transistor de unión bipolar.
La invención del transistor fue la culminación de un programa de desarrollo iniciado en 1946 en el centro de investigación científica y desarrollo tecnológico de las entonces gigantes empresas de las comunicaciones American Telephone and Telegraph (ATT) (continuadora de la Bell Telephone) y Western Electric (WE): Bell Telephone Laboratories, en EEUU usualmente denominado Bell Labs. Según Nelson, el centro ocupaba entonces a unas 11.000 personas cuyos roles estaban divididos, en número aproximadamente iguales, en 3 sectores principales: ciencia y tecnología, apoyo técnico, logística. La mayoría de los profesionales (~85%) trabajaba en desarrollo de dispositivos de telefonía para uso comercial y militar y el resto (~15%) en tareas de investigación.
Durante la [http://es.wikipedia.org/wiki/Segunda_Guerra_Mundial Segunda Guerra Mundial] tanto EEUU como Gran Bretaña —estimulados por similares políticas nazis— hicieron enormes inversiones en desarrollos científico-tecnológicos para uso militar, el más grande los cuales fue el [http://es.wikipedia.org/wiki/Proyecto_Manhattan Proyecto Manhattan] que reunió a los más destacados físicos e ingenieros de la época y culminó con la fabricación de la primera bomba atómica y su lanzamiento sobre Hiroshima y Nagasaki. Menos conocido, pero no menos importante desde el punto de visto militar, fue el desarrollo del [http://es.wikipedia.org/wiki/Radar radar] hecho por los británicos. Al final de la guerra, en 1945, estas tareas continuaron en preparación para la que se consideraba entonces una inevitable confrontación militar con la Unión Soviética, contexto que encuadra el proceso de invención del transistor.
Ya antes de la guerra investigadores de Bell Labs habían trabajado activamente en las propiedades electrónicas de semiconductores, entre los que se contaban los físicos William Shockley y Walter Brattain. Sus laboratorios eran capaces de producir cristales de estos materiales y determinar sus propiedades eléctricas básicas. La mayoría de estos experimentos de preguerra se hacían con cristales de germanio, lo que explica la razón de que el primer transistor exitoso estuviese hecho de este material. Cuando Shockley, que estaba de licencia, se reintegró a su trabajo después de la guerra, convenció al director de Bell Labs de la importancia de crear un departamento especial dedicado al desarrollo de dispositivos semiconductores, incorporando más personal de investigación básica y aplicada y aumentando el soporte técnico. En 1946 el proyecto fue aprobado y Shockley autorizado a contratar el personal adicional. Su mayor éxito en esta tarea fue el reclutamiento del físico teórico John Bardeen, pero varios otros cientificos e ingenieros destacados se unieron al grupo. Bardeen, el único físico que hasta 2011 había obtenidos 2 premios Nobel, trabajaba entonces en el [http://en.wikipedia.org/wiki/Naval_Ordnance_Laboratory Naval Ordnance Laboratory], centro de investigaciones de la marina estadounidense hoy desaparecido, y fue uno de los principales fundadores de la [http://es.wikipedia.org/wiki/F%C3%ADsica_del_estado_sólido Física del Estado Sólido].
El grupo quedó constituido por unas 25 personas, con un presupuesto anual de USD 500.000 de la época, equivalente a varios millones de hoy. La principal meta que fijó Shockley fue el desarrollo de un dispositivo amplificador equivalente al tríodo pero exclusivamente basado en semiconductores. Omitiendo detalles sólo comprensibles por especialistas, las tareas se desarrollaron fabricando dispositivos cuyo comportamiento se creía serían los deseados, haciendo experimentos que inicialmente daban resultados totalmente diferentes, sino opuestos, a los deseados, rediseño de los dispositivos y formulaciones teóricas que trataban de explicar las razones del fracaso y posibles reorientaciones de las tareas. Esto fue posible gracias a una estrecha colaboración entre físicos teóricos e ingenieros o físicos aplicados, con amplia libertad de exploración de variantes que, aunque inicialmente parecieran alejadas de la meta práctica, podían ayudar a la comprensión de los fenómenos electrónicos microscópicos que se producían en los semiconductores, como los estados superficiales dilucidados por Bardeen. [[Archivo:Transistor CMOS.gif|300px|right|thumb|<small><center>'''Transistor de unión bipolar CMOS.'''</center></small>]]En 1947 se produjo el primer transistor exitoso de germanio, con un sistema de punta de contacto similar pero más estable y pequeño que el del detector de galena. En 1948 se obtuvo el primer [http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unión_bipolar transistor de unión o juntura bipolar]. En 1949 Shockley escribió el libro ''Electrons and holes in semiconductors'', que durante muchos años sería la referencia obligada para la comprensión del comportamiento de los electrones, y sus vacantes, en los semiconductores cuando están sometidos a diferencias de potencial eléctrico. Hoy los transistores —aunque con un método constructivo diferente del original, el CMOS— han hecho posible todos los dispositivos electrónicos compactos y de bajo consumo eléctrico (a pilas), desde los reproductores de música hasta las computadoras pasando por los teléfonos móviles e inteligentes, constituyéndose en los protagonistas principales de la revolución electrónica actualmente en auge.